[发明专利]挠性装置用基板、挠性装置用薄膜晶体管基板、挠性装置、薄膜元件用基板、薄膜元件、薄膜晶体管、薄膜元件用基板的制造方法、薄膜元件的制造方法及薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201080043784.6 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102576735A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 福田俊治;坂寄胜哉;在原庆太;市村公二;天下井惠维 | 申请（专利权）人： | 大日本印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;B32B15/088;G09F9/30;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的第一目的在于提供一种在层叠了金属层与聚酰亚胺层的具有挠性的基板上制作TFT时，可抑制因金属箔表面凹凸所造成的TFT电气性能劣化，并可抑制TFT的剥离或裂痕的挠性装置用基板。此外，本发明的第二目的在于提供一种表面平滑性优异、可抑制薄膜元件的特性劣化的薄膜元件用基板及其制造方法。本发明还提供一种挠性装置用基板，其特征在于，具有：金属箔；形成于上述金属箔上，并含有聚酰亚胺的平坦化层；与形成于上述平坦化层上，并含有无机化合物的密合层。此外，本发明提供一种薄膜元件用基板的制造方法，其特征在于，具有：对金属基材实施药液处理的金属基材表面处理步骤；与于上述金属基材上涂布聚酰亚胺树脂组合物以形成绝缘层的绝缘层形成步骤；上述绝缘层的表面粗糙度Ra为30nm以下。另外，本发明提供一种薄膜元件用基板的制造方法，其特征在于，具有：依使藉既定方法所算出的相对溶解氧饱和率为95％以下的方式，对聚酰亚胺树脂组合物进行脱气的脱气步骤；与于金属基材上涂布上述聚酰亚胺树脂组合物以形成绝缘层的绝缘层形成步骤；上述绝缘层的表面粗糙度Ra为30nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 用基板 薄膜晶体管 薄膜 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种挠性装置用基板，其特征在于，具有：金属箔；形成于所述金属箔上并含有聚酰亚胺的平坦化层；以及形成于所述平坦化层上并含有无机化合物的密合层。
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