[发明专利]玻璃上的薄层元件、用于制造该薄层元件的方法及其使用无效
| 申请号： | 201080044001.6 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102576713A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | P.莱托卡特;D.C.潘;D.帕科施;J-C.吉龙;P.雷米 | 申请（专利权）人： | 法国圣戈班玻璃厂 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;H01L31/02;H01L31/048 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;李家麟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄层元件（I），其中，在玻璃板（1）上施加层结构（2）和导电的保护装置（3），在层结构（2）和导电的保护装置（3）上施加至少一个介电保护层（4），和其中，导电的保护装置（3）和玻璃板（1）的外棱边（5）之间的间距小于层结构（2）和玻璃板（1）的外棱边（5）之间的间距，以及涉及一种用于制造该薄层元件（1）的方法及其使用。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 薄层 元件 用于 制造 方法 及其 使用 | ||
【主权项】：
薄层元件（I），其中，在玻璃板（1）上施加层结构（2）和导电的保护装置（3），在层结构（2）和导电的保护装置（3）上施加至少一个介电保护层（4），和其中，导电的保护装置（3）和玻璃板（1）的外棱边（5）之间的间距小于层结构（2）和玻璃板（1）的外棱边（5）之间的间距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法国圣戈班玻璃厂，未经法国圣戈班玻璃厂许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080044001.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
