[发明专利]去除卤素的方法和装置

摘要

给入口真空交换室提供晶片。在该入口真空交换室中生成真空。将晶片传送到加工工具中。在加工室中加工该晶片进而提供已加工晶片，其中该加工形成卤素残留物。在加工该晶片后在加工室中进行脱气步骤。将该已加工的晶片转移到脱气室。在脱气室中用UV照射和包含臭氧，氧气或H2O中至少一种的气流处理已加工晶片。停止气流。停止UV照射。将已加工的晶片从该脱气室中移出。

主权项

用于从晶片上去除在该晶片加工期间累积的卤素物质的脱气站，所述脱气站包括：脱气室，其能够生成和保持真空并且能安放所述晶片；晶片支架，其用于将所述晶片保持在所述脱气室中；压强传感器，其与所述脱气室联接，用以传感所述脱气室中的压强；UV照射源，其用于当所述晶片在所述脱气室中时用UV照射处理所述晶片；喷射器，其与所述脱气室联接，用于将包含氧气，H2O或臭氧中的至少一种的气体喷射到所述脱气室中，使得所述气体流过容纳在所述脱气室中的所述晶片；排气系统，其与所述脱气室联接，其中所述排气系统能排空所述脱气室以生成真空并且其中在将所述气体喷射到所述脱气室时，所述排气系统能够以实质上保存所述脱气室中真空的方式移出所述气体；第一个晶片开口，其在所述脱气室中，用以从所述真空室接收所述晶片；以及多个真空密封装置，其围绕所述第一个晶片开口使得所述脱气室在所述第一个晶片开口处联接所述真空室。