[发明专利]固态图像拾取装置有效
申请号: | 201080044580.4 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102576717A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 小林昌弘;山下雄一郎;大贯裕介 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 固态图像拾取装置包括多个像素,多个像素中的每一个包含光电转换部分(104)、电荷保持部分(102)、浮置扩散(114)和传送部分(103)。像素还包含保持部分下隔离层(111)和像素隔离层(117)。与保持部分下隔离层的光电转换部分侧的端部相比,像素隔离层的光电转换部分侧的端部远离光电转换部分,并且,构成光电转换部分的一部分的N型半导体区域(105)被设置在保持部分下隔离层的至少一部分下方。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像 拾取 装置 | ||
【主权项】:
一种包括多个像素的固态图像拾取装置,多个像素中的每一个包含:光电转换部分,被配置为根据入射光产生电荷;电荷保持部分,被配置为包含在与光电转换部分不同的部分中保持通过光电转换部分产生的电荷的第一导电类型的第一半导体区域;浮置扩散;和传送部分,被配置为包含控制第一半导体区域和浮置扩散之间的电势的传送栅极电极,其中,第二导电类型的第二半导体区域被设置在第一半导体区域的至少一部分下方,第二导电类型的第三半导体区域被设置在比第二半导体区域深的位置,该第三半导体区域在第一半导体区域的至少一部分、浮置扩散和传送栅极电极下方延伸,与第二半导体区域的光电转换部分侧的端部相比,第三半导体区域的光电转换部分侧的端部远离光电转换部分,并且,构成光电转换部分的一部分的第一导电类型的半导体区域被设置在处于第二半导体区域的至少一部分下方并且不设置第三半导体区域的区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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