[发明专利]绝缘膜形成用涂布液、使用该涂布液的绝缘膜及该涂布液中使用的化合物的制造方法无效
| 申请号： | 201080044829.1 | 申请日： | 2010-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN102575013A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 原宪司;小林纯;横田洋大;森田博;斋藤诚一 | 申请（专利权）人： | 株式会社ADEKA |
| 主分类号： | C08G77/62 | 分类号： | C08G77/62;C01B21/068;C01B21/087;C08L83/16;C09D5/25;C09D183/16;H01L21/314;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在水蒸气中的焙烧工序中的收缩小、不易发生二氧化硅覆膜的龟裂或与半导体基板的剥离的绝缘膜形成用涂布液、使用该涂布液的绝缘膜及该涂布液中使用的化合物的制造方法。该绝缘膜形成用涂布液具有无机聚硅氮烷和有机溶剂，在所述无机聚硅氮烷的1H-NMR谱中，来自SiH1基和SiH2基的4.5～5.3ppm的峰面积与来自SiH3基的4.3～4.5ppm的峰面积之比为4.2～50。绝缘膜使用上述绝缘膜形成用涂布液而得到。无机聚硅氮烷是通过使二卤代硅烷化合物、三卤代硅烷化合物或它们的混合物与碱反应形成加合物后，使加合物的溶液或分散液与氨在-50～-1℃下反应而得到的。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 形成 用涂布液 使用 涂布液 涂布液中 化合物 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘膜形成用涂布液，其特征在于，其含有无机聚硅氮烷和有机溶剂，在所述无机聚硅氮烷的1H‑NMR谱中，来自SiH1基和SiH2基的4.5～5.3ppm的峰面积与来自SiH3基的4.3～4.5ppm的峰面积之比为4.2～50。
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