[发明专利]用于改善控制加热和冷却基板的设备与方法在审
| 申请号： | 201080045642.3 | 申请日： | 2010-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102576676A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 布莱克·R·凯尔梅尔;诺曼·L·塔姆;约瑟夫·M·拉内什 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用于处理基板与控制基板的加热与冷却的方法及设备。提供第一波长范围内的辐射的辐射源在预定温度范围内加热基板，所述基板可吸收在所述第一波长范围内和所述预定温度范围内的第二波长范围内的辐射。滤片防止至少一部分的第二波长范围内的辐射到达所述基板。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 控制 热和 冷却 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于加热基板的设备，所述设备包括：热源，所述热源提供第一波长范围的辐射并且在预定温度范围内加热所述基板，所述基板能吸收在所述第一波长范围内和所述预定温度范围内的第二波长范围内的辐射；工艺区域，所述工艺区域包括基板支撑件以支撑所述基板；以及滤片，所述滤片设置在所述基板支撑件与所述热源之间，以过滤来自所述热源的辐射，使得至少一部分的所述第二波长范围内的辐射不被所述基板吸收。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080045642.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
