[发明专利]半导体器件、显示装置和电子电器有效
| 申请号： | 201080045818.5 | 申请日： | 2010-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102648524A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 沟道保护薄膜晶体管中，其中沟道形成区使用氧化物半导体来形成，通过热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层用作活性层，包括纳米晶的结晶区包含在沟道形成区的表面部分中，并且其余部分是非晶的或者由非晶质/非晶体和微晶体的混合物来形成，其中非晶区点缀有微晶体。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，能够防止由于水分进入表面部分或者从表面部分消除氧所引起的转变成n型以及防止寄生沟道的生成，并且能够降低与源和漏电极的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示装置 电子电器 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅电极层；所述栅电极层之上的栅绝缘层；所述栅绝缘层之上的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层的一部分相接触的氧化物绝缘层；以及与所述氧化物半导体层的一部分相接触的源电极层和漏电极层，其中，在所述氧化物半导体层中，所述源电极层与所述氧化物绝缘层之间的区域以及所述漏电极层与所述氧化物绝缘层之间的区域各具有小于与所述源电极层重叠的区域、与所述氧化物绝缘层重叠的区域和与所述漏电极层重叠的区域的每个的厚度。
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