[发明专利]用于装置的含镓和氮的超薄外延结构的快速生长方法及结构无效
| 申请号： | 201080045881.9 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102576652A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·拉林;阿尔潘·查克拉博尔蒂;克里斯蒂安·波布伦斯 | 申请（专利权）人： | 天空公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;宋春妮 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种含镓和氮材料的快速生长的方法。该方法包括提供块状含镓和氮的基底。在该基底上形成第一厚度的第一外延材料，优选用一种假晶工艺。该方法还在第一外延层上形成第二外延层，以形成叠层结构。该叠层结构的总厚度小于约2微米。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 装置 超薄 外延 结构 快速 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种含镓和氮的材料的快速生长方法，包括：提供具有表面区域的块状含镓和氮的基底；形成叠加在所述块状含镓和氮的基底的所述表面区域的具有第一厚度的第一外延材料，所述第一外延材料假晶地形成叠加在所述块状含镓和氮的基底的所述表面区域；以及形成叠加在所述第一外延材料上的一个或多个第二外延材料，并构造成叠层结构；由此所述叠层结构的总厚度小于约2微米，并且以光学或电学装置的外延区域的至少主要部分为特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
