[发明专利]PIN二极管有效
| 申请号： | 201080046474.X | 申请日： | 2010-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102687276A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 西村良和;山本浩史;内野猛善 | 申请（专利权）人： | 株式会社三社电机制作所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制由于在超出击穿电压的反向偏压时电流向阳极区域的曲线部集中而产生热破坏的PIN二极管。本发明的PIN二极管由以下构成：由N+半导体层(1)以及N-半导体层(2)构成的半导体基板(11)；形成在N+半导体层(1)的外表面上的阴极电极(18)；从N-半导体层(2)的外表面选择性地扩散P型杂质而形成的主阳极区域(16)、分离阳极区域(15)以及阳极连接区域；和形成在主阳极区域(16)上的阳极电极(17)。主阳极区域(16)具有4边由直线部(B4)构成且4顶点由大致圆弧状的曲线部(B3)构成的大致矩形的外缘，分离阳极区域(15)沿着主阳极区域(16)的外缘形成为环状，阳极连接区域形成为以下形状，即，使相互对置的分离阳极区域(15)的内缘以及主阳极区域(16)的直线部(B4)中的任意一方突出出来与另一方点接触。 | ||
| 搜索关键词： | pin 二极管 | ||
【主权项】：
一种PIN二极管，其特征在于，具备：半导体基板，其由N型的第一半导体层以及杂质浓度比第一半导体层低的N型的第二半导体层构成；阴极电极，其形成在第一半导体层的外表面上；从第二半导体层的外表面选择性地扩散P型杂质而形成的主阳极区域、分离阳极区域以及阳极连接区域；以及阳极电极，其形成在上述主阳极区域上，上述主阳极区域具有4边由直线部构成且4顶点由大致圆弧状的曲线部构成的大致矩形的外缘，上述分离阳极区域沿着上述主阳极区域的外缘形成为环状，上述阳极连接区域形成为以下形状，即，使相互对置的上述分离阳极区域的内缘以及上述直线部中的任意一方突出出来与另一方进行点接触。
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