[发明专利]多孔氮化物半导体上的高品质非极性/半极性半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080046603.5 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102598317A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 南玉铉;李东轩;俞根镐 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司;韩国产业技术大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种非极性/半极性半导体器件及其制造方法，该非极性/半极性半导体器件具有降低的氮化物半导体层的缺陷密度及提高的内部量子效率和光提取效率。用于制造半导体器件的方法在具有用于生长非极性或半极性氮化物半导体层的晶面的蓝宝石基底、SiC基底或Si基底上形成模板层和半导体器件结构。所述制造方法包括：在基底上形成氮化物半导体层；执行多孔表面改性，使得氮化物半导体层具有多个孔；通过在表面改性的氮化物半导体层上再生长氮化物半导体层来形成模板层；以及在模板层上形成半导体器件结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 氮化物 半导体 品质 极性 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，在所述方法中，在具有用于生长非极性或半极性氮化物半导体层的晶面的基底上形成模板层和半导体器件结构，所述方法包括：在基底上形成氮化物半导体层；执行多孔表面改性，使得氮化物半导体层具有多个孔；通过在表面改性的氮化物半导体层上再生长氮化物半导体层来形成模板层；以及在模板层上形成半导体器件结构。
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