[发明专利]III/V族材料的高生长速率沉积有效
| 申请号： | 201080046939.1 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102575378A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | L·D·华盛顿;D·P·波尔;G·西伽士;G·何 | 申请（专利权）人： | 埃尔塔设备公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 刘博 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施方案一般涉及以高生长速率(诸如大约30μm/hr或更快，例如大约40μm/hr，大约50μm/hr，大约55μm/hr，大约60μm/hr或更快)外延生长III/V族材料的工艺。可以在太阳能、半导体或其他电子装置应用中利用沉积的III/V族材料或膜。在一些实施方案中，可以在气相沉积工艺期间在设置于支撑衬底上或上方的牺牲层上形成或生长III/V族材料。随后，可以在外延剥离(ELO)工艺期间将III/V族材料从支撑衬底上移除。III/V族材料是外延生长层的薄膜，所述外延生长层的薄膜含有砷化镓、砷化镓铝、砷化镓铟、氮化砷化镓铟、磷化镓铝铟、其磷化物、其氮化物、其衍生物、其合金或其组合物。 | ||
| 搜索关键词： | iii 材料 生长 速率 沉积 | ||
【主权项】：
一种用于在晶片上形成砷化镓材料的方法，其包括：在处理系统内将晶片加热至大约550℃或更高的沉积温度；使所述晶片暴露于沉积气体中，所述沉积气体包括镓前体气体和三氢化砷；和使砷化镓层以大约30μm/hr或更快的沉积速率沉积于所述晶片上。
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