[发明专利]硅或硅合金熔炼炉有效
| 申请号： | 201080046959.9 | 申请日： | 2010-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN102712480A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 高村博;成田里安 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/06;F27B14/04;F27B14/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅或硅基合金的熔炼方法及用于该方法的炉，为将硅原料或硅基合金原料熔炼的方法及用于该方法的炉，其特征在于，利用通电发热的发热体对所述原料进行加热，并在氧分压为10～1000Pa的惰性气氛中对所述原料进行熔炼。本发明提供改变现有使用的加热器的材质并在不需要调节为高真空的炉中将硅或硅基合金熔炼的方法及用于该方法的熔炼炉，并且，通过根据需要改变加热器、绝热材料等的材质防止杂质的混入。由此，本发明课题在于以低成本制造单晶或多晶硅或硅基合金。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 熔炼炉 | ||
【主权项】：
一种硅或硅基合金的熔炼方法，其为硅原料或硅基合金原料的熔炼方法，其特征在于，在氧分压为10～1000Pa的惰性气氛中处理从原料的熔炼到凝固的工序。
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