[发明专利]太阳能电池单元无效
| 申请号： | 201080047497.2 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102576751A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 冈庭香 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种降低内部应力的产生并由此降低结晶缺陷及再结合损失的太阳能电池单元。所述太阳能电池单元在形成有pn结的半导体基板的受光面侧具有防反射膜和外部提取用电极，在非受光面侧具有电极层，其特征在于，所述电极层形成为整面状，厚度为5μm以下。优选所述电极层的片电阻为1×10-4Ω/□以下。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 单元 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池单元，其为在形成有pn结的半导体基板的受光面侧具有防反射膜和外部提取用电极、在非受光面侧具有电极层的太阳能电池单元，其特征在于，所述电极层被形成为整面状，厚度为5μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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