[发明专利]具有动态偏置的RF缓冲器电路有效
| 申请号： | 201080047529.9 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102577123A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | R·兰加拉詹;C·米什拉 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K19/0185;H03K19/20;H03K19/003 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于压控振荡器(VCO)的RF缓冲器电路包括动态偏置电路以选择性对输出电压波形的相位进行翻转。在CMOS的实施方式中，在输出路径上应用PMOS/NMOS对。在高(电压)摆幅模式状况期间，对输出的相位进行翻转使得输出波形与出现在PMOS/NMOS对的栅极处的电压同相。由此该技术减小了栅极到漏极的峰值电压，并且允许采用经得起低相位噪声和低功耗的配置的MOS器件的可靠性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 动态 偏置 rf 缓冲器 电路 | ||
【主权项】：
一种RF缓冲器电路，包括：第一晶体管和第二晶体管；以及动态偏置电路，使得基于所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个或另一个的输入电压摆幅状况，所述第一晶体管和所述第二晶体管上的缓冲后的输出电压基本上与所述第一晶体管或所述第二晶体管的输入端子处的振荡电压同相，或者基本上与所述振荡电压异相。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080047529.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
