[发明专利]拉伸膜的应力管理无效
| 申请号： | 201080047651.6 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102598228A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 梁静美;安亚娜·M·帕特尔;妮琴·K·英吉;尚卡·文卡塔拉曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了具有低破裂倾向的间隙填充氧化硅层的形成。沉积涉及可流动含硅层的形成，该可流动含硅层促进沟槽的填充。在高基板温度下的后续处理造成比根据现有技术方法所形成的可流动膜少的介电膜中的破裂。描述了在形成间隙填充氧化硅层之前所沉积的可压缩衬垫层，且可压缩衬垫层降低后续沉积的膜会破裂的倾向。在可流动含硅层后沉积的可压缩覆盖层也已经被确定可减少破裂。可单独地或组合地利用可压缩衬垫层与可压缩覆盖层来减少且经常消除破裂。此外，在所公开的实施例中，已经确定可压缩覆盖层可使得氮化硅的下伏层被转变成氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 拉伸 应力 管理 | ||
【主权项】：
一种形成氧化硅层于基板上的方法，所述基板含有沟槽，所述方法包括以下步骤：传送所述基板到基板处理腔室内；形成可压缩衬垫层于所述基板上且在所述沟槽中；形成介电层于所述基板上且在所述沟槽中，其中所述介电层是起初可流动的；以及固化所述介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
