[发明专利]具有改善的冷却的盘绕变压器无效

专利信息
申请号: 201080047726.0 申请日: 2010-09-10
公开(公告)号: CN102576596A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 林钟润;林长烈;夏勇镇;常贤利;C·W·约翰逊;杨海孙;R·穆律罗;R·C·巴拉德 申请(专利权)人: ABB技术有限公司
主分类号: H01F27/08 分类号: H01F27/08
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 一种用于制造变压器的方法,包括使用多个预制冷却管道形成盘绕线圈。可以由固定在该冷却管道的墙体之间的支撑管或者由可移除的插入物来支撑每个冷却管道。形成第一导体层和第二导体层,第一导体层和第二导体层中的每一个包括在该盘绕线圈的轴向方向上设置的多个盘形绕组。在第一导体层和第二导体层之间形成间隔层,以形成多个轴向延伸的通路。将该冷却管道滑入该轴向延伸的通路从而使其设置在第一导体层与第二导体层之间。
搜索关键词: 具有 改善 冷却 盘绕 变压器
【主权项】:
一种用于制造变压器的方法,包括:形成盘绕线圈,包括:提供多个预制冷却管道;形成第一导体层,其包括在所述盘绕线圈的轴向上设置的多个盘形绕组,每个所述盘形绕组包括被缠绕成多个同心匝的导体;在所述第一导体层上形成间隔层,所述间隔层包括多个间隔物;在所述间隔层上形成第二导体层,所述第二导体层包括在所述盘绕线圈的轴向上设置的多个盘形绕组,每个所述盘形绕组包括被缠绕成多个同心匝的导体,其中,所述间隔层被形成为使得当形成所述第二导体层时,在所述第一导体层与所述第二导体层之间形成多个轴向延伸的通路;并且将所述预制冷却管道滑入轴向延伸的通路,以便被设置在所述第一导体层与所述第二导体层之间。
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