[发明专利]纹理化硅衬底表面的方法和用于太阳能电池的纹理化的硅衬底

摘要

本发明涉及在气相中纹理化硅衬底表面的方法并且涉及用于太阳能电池的纹理化硅衬底。该方法包括至少一个步骤a)：将所述表面以2到30分钟的持续时间暴露于SF6/O2射频等离子体，以便产生具有金字塔结构的纹理化表面的硅衬底，SF6/O2比率为2到10。根据本发明，在步骤a)期间，使用射频等离子体产生的功率密度大于或等于2500mW/cm2，并且反应室中的SF6/O2压力小于等于100mTorr，以便产生具有倒金字塔结构的纹理化表面的硅衬底。

主权项

一种在气相中纹理化硅衬底的表面的方法，所述方法包括至少一个步骤a)，该步骤a)用于在反应室中将所述表面以2到30分钟范围内的时长暴露于SF6/O2射频等离子体，以便产生具有金字塔结构的纹理化表面的硅衬底，SF6/O2比率在2到10的范围内；其特征为：在步骤a)期间，所述射频等离子体产生的功率密度为2500mW/cm2或更大，并且在所述反应室中的SF6/O2的压力为100mTorr或更小，以便产生具有倒金字塔结构的纹理化表面的硅衬底。