[发明专利]用于含碳膜的硅选择性干式蚀刻方法有效
| 申请号： | 201080047977.9 | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102598222A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | K·萨普瑞;J·唐;L·王;A·B·马利克;N·英格尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;G03F7/42;B44C1/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍;邢德杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在此描述一种蚀刻含硅及碳的材料的方法，所述方法包括结合反应性氧流的SiConiTM蚀刻。反应性氧可在SiConiTM蚀刻之前导入，从而减少接近表面区域处的碳含量，并且使SiConiTM蚀刻得以更快速进行。或者，反应性氧可在SiConiTM蚀刻期间导入，以进一步改善有效的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 含碳膜 选择性 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种在基板处理腔室的基板处理区域中蚀刻基板的表面上的含硅及碳层的方法，所述方法包括以下步骤：将含氟前体与含氢前体流入第一远端等离子体区域，同时在所述第一远端等离子体区域中形成等离子体以产生等离子体流出物，其中所述第一远端等离子体区域流体连通式耦接至所述基板处理区域；藉由将所述等离子体流出物与反应性氧流入所述基板处理区域来蚀刻所述含硅及碳层，同时在所述基板的所述表面上形成固体副产物；以及藉由将所述基板的温度增加至所述固体副产物的升华温度之上来升华所述固体副产物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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