[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 201080047999.5 | 申请日： | 2010-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN102668095A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管是工作速度快，在导通时能够流过大电流，在截止时截止电流非常降低的晶体管。本发明是一种纵向薄膜晶体管，其中使用氧化物半导体膜形成沟道形成区，该氧化物半导体膜是氧化物半导体所包含的氢为5×1019/cm3以下，优选为5×1018/cm3以下，更优选为5×1017/cm3以下，去除氧化物半导体所包含的氢或OH基来使载流子浓度为5×1014/cm3以下，优选为5×1012/cm3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：衬底；所述衬底上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的第一电极；所述第一电极上的氧化物半导体膜；所述氧化物半导体膜上的第二电极；覆盖所述第一电极、所述氧化物半导体膜及所述第二电极的栅极绝缘膜；以及隔着所述栅极绝缘膜与所述氧化物半导体膜的侧表面相邻的第三电极，所述第三电极与所述栅极绝缘膜接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080047999.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具备防误加工功能的线放电加工机
- 下一篇：超导线圈的浸渍方法
- 同类专利
- 专利分类
