[发明专利]聚硅烷-聚硅氮烷共聚物及其制备和使用方法无效
申请号: | 201080048280.3 | 申请日: | 2010-10-25 |
公开(公告)号: | CN102597066A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 韦·陈;E·S·梅尔;B·T·源;S·王;马克·A·瓦努斯;周晓兵 | 申请(专利权)人: | 道康宁公司 |
主分类号: | C08G77/62 | 分类号: | C08G77/62;C09D183/16 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 武晶晶;郑霞 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: |
聚硅烷-聚硅氮烷共聚物包含式(Ⅰ)的聚硅烷单元和式(Ⅱ)的聚硅氮烷单元,其中每个R1和每个R2各自独立地选自H、Si和N原子,R3选自H、Si或C原子,a≥1,b≥1,且值(a+b)≥2。该聚硅烷-聚硅氮烷共聚物可与溶剂一起被配制在组合物中。该聚硅烷-聚硅氮烷共聚物可用于填充沟槽的PMD和STI应用,其中所述沟槽具有100nm或更小的宽度和至少(6)的高宽比。可通过用伯胺胺化每个分子具有(2)个或更多个硅原子的全氯聚硅烷制备该聚硅烷-聚硅氮烷共聚物。 |
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搜索关键词: | 硅烷 聚硅氮烷 共聚物 及其 制备 使用方法 | ||
【主权项】:
1.一种聚硅烷-聚硅氮烷共聚物,包括:式
的聚硅烷单元,和式
的聚硅氮烷单元,其中R1和R2各自独立地选自H、Si和N原子,且R3选自H、Si或C原子,a≥1,b≥1,且值(a+b)≥2;且其中所述共聚物不含SiC键。
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