[发明专利]用于能量存储设备中的异质纳米结构材料及其制造方法有效
| 申请号： | 201080048453.1 | 申请日： | 2010-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102668100A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 王敦伟;周萨 | 申请（专利权）人： | 波士顿学院董事会 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;C25B9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;王春伟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开的实施方案涉及用于能量存储设备的异质纳米结构材料，且更具体地涉及异质纳米结构材料的制造和异质纳米结构材料作为电池电极的用途。在一个实施方案中，本公开内容的Si/TiSi2电极1000包括多个在支撑基质1100的表面上形成的多个Si/TiSi2纳米网1001，其中每个Si/TiSi2纳米网1001包括以约90度角连接在一起的多个连接的且以定距离间隔的纳米梁，其中纳米梁由具有硅微粒覆盖层的导电的硅化物核组成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 能量 存储 设备 中的 纳米 结构 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种异质纳米结构材料，其包括以约90度角连接在一起的多个连接的且以定距离间隔的纳米梁，其中所述纳米梁由具有微粒覆盖层的导电的硅化物核组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
