[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080048595.8 | 申请日： | 2010-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102668096A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫永昭治;高桥正弘;岸田英幸;坂田淳一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一个目的是提供一种具有稳定的电特性的包括氧化物半导体的半导体装置。在氧化物半导体层之上形成具有很多以悬挂键为典型代表的缺陷的绝缘层，并在其间插入氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，由此使氧化物半导体层中的诸如氢或湿气(氢原子或者含有氢原子的化合物(诸如H2O))的杂质移动通过所述氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，并扩散到所述绝缘层中。因而，降低了所述氧化物半导体层的杂质浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：晶体管，所述晶体管包括栅电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源电极层和漏电极层；具有缺陷的绝缘层；以及氧过量氧化物绝缘层，处于所述氧化物半导体层和所述绝缘层之间，其中，所述氧过量氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层的一部分接触，并且其中，所述氧过量氧化物绝缘层与所述绝缘层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080048595.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：医学信息采集应用系统及方法
- 下一篇：电致发光的噻吩衍生物
- 同类专利
- 专利分类
