[发明专利]同轴硅通孔有效
| 申请号： | 201080049019.5 | 申请日： | 2010-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102598245A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | R.P.沃兰特;M.G.法鲁克;P.F.芬德伊斯;K.S.佩特拉卡 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种硅通孔(TSV)结构，其在硅衬底(40)内形成独特的同轴互连或三轴互连。所述TSV结构提供有两个或更多独立电导体(50、60)，所述电导体彼此绝缘且与衬底绝缘。所述电导体可连接到不同的电压或接地，这使得能够将TSV结构作为同轴器件或三轴器件来操作。采用不同绝缘体材料的多个层可用来作为绝缘体，其中根据电介质特性、填充特性、界面粘合性和CTE匹配等来选择各层。所述TSV结构克服了外部绝缘层中可能导致漏电的缺陷。本申请还描述了这种TSV结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 同轴 硅通孔 | ||
【主权项】：
一种集成电路(IC)硅通孔(TSV)结构，包括：衬底(40)，提供有至少一个所述TSV，以及平行绝缘的导线(50)，跨越所述TSV的长度，并且从所述衬底的顶表面(70b)延伸到其底表面(200)，所述导线(50)彼此绝缘并且与所述衬底(40)绝缘，所述导线(50)分别与互连配线进行电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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