[发明专利]通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法有效

专利信息
申请号: 201080049027.X 申请日: 2010-10-22
公开(公告)号: CN102667945A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: G.A.杜西加;陈健;C.阿维拉;J.黄;L.M.加文斯 申请(专利权)人: 桑迪士克科技股份有限公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 黄小临
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在非易失性存储器中的数据错误不可避免地随使用和每个单元存储的位的更高密度而增加。存储器被配置为具有以较少错误操作但具有较低密度存储的第一部分以及以更高密度操作但更不强健存储的第二部分。输入数据在被复制到第二部分之前被写入并阶段性存储在第一部分中。错误管理提供针对过量错误位来检查复制的数据的质量。在第二部分中的不同位置上重复该复制和检查,直到满足了预定质量或重复的次数超过预定限制。当存储器是新的而有很少或没有错误时不开始错误管理,而在存储器已老化到由其经历的擦除/编程循环的数量而确定的预定量之后开始。
搜索关键词: 通过 写入 读取 适应性 重写 管理 错误 非易失性存储器 方法
【主权项】:
一种操作非易失性存储器的方法,包括:提供用于校正当非易失性存储器通过使用而老化时易于产生的错误的错误管理;提供通过非易失性存储器经历的编程/擦除循环的数量对非易失性存储器的年龄的测量;以及仅当非易失性存储器达到了预定年龄时才开始所述错误管理。
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