[发明专利]CVD成膜装置

摘要

本发明的CVD成膜装置(1)，其中包括：多个成膜室单元(6)，分别具有与等离子体电源连接的成膜辊(2，2)及收纳该成膜辊(2，2)的成膜用单元室(60)，且各成膜辊(2，2)配置成沿水平方向排成一列；以及连接室单元(7)，具有与成膜室单元(6)的成膜用单元室(60)连结的连接用单元室(70)，且该连接室单元介于邻接的成膜室单元(6)之间并连接成膜室单元(6)彼此。基材(W)以缠挂在各成膜室单元(6)的各成膜辊(2，2)的状态被输送，各成膜室单元(6)各自通过等离子体来分解原料气体，该等离子体是通过向成膜辊(2，2)施加电压而在该成膜辊(2，2)附近生成，在成膜辊(2，2)上对所述基材实施成膜处理。

主权项

一种CVD成膜装置，利用等离子体CVD在片状的基材表面形成被膜，其特征在于，包括：多个成膜室单元，分别具有成膜辊及收纳该成膜辊的成膜用单元室，且各成膜辊配置成沿特定的水平方向并列；以及连接室单元，介于这些成膜室单元的彼此邻接的成膜室单元之间并连接邻接的成膜室单元彼此，所述连接室单元具备连接用单元室，该连接用单元室以连结邻接的成膜室单元的各成膜用单元室的方式连接成膜室单元彼此，所述各成膜室单元的成膜辊被配置成使所述基材分别缠挂在这些成膜辊而被输送，且接受电压的施加而在该成膜辊附近形成分解原料气体的等离子体，在该成膜辊上对所述基材实施成膜处理。