[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201080049288.1 | 申请日: | 2010-10-28 |
公开(公告)号: | CN102598299A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 李东根 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 根据本发明的太阳能电池包括:图案层,布置在衬底上且包括不平整图案;后电极,布置在所述图案层上;光吸收层,布置在所述后电极上;缓冲层,布置在所述光吸收层上;以及前电极,布置在所述缓冲层上。根据本发明的太阳能电池制造方法包括:在衬底上形成包括不平整图案的图案层;在所述图案层上形成后电极;在所述后电极上形成光吸收层;在所述光吸收层上形成缓冲层;以及在所述缓冲层上形成前电极。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:图案层,布置在衬底上且包括不平整图案;后电极,布置在所述图案层上;光吸收层,布置在所述后电极上;缓冲层,布置在所述光吸收层上;以及前电极,布置在所述缓冲层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080049288.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:场效应磁传感器
- 下一篇:超声波辅助稠油化学催化裂解静态模拟实验装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的