[发明专利]半导体器件以及用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201080049553.6 | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102687277A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 根本道生;吉村尚 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在n-漂移层(1)的一个主表面上形成p阳极层(2)。在n-漂移层(1)的另一主表面上形成杂质浓度大于n-漂移层(1)的n+阴极层(3)。在p阳极层(2)的表面上形成阳极电极(4)。在n+阴极层(3)的表面上形成阴极电极(5)。在n-漂移层(1)中形成净掺杂浓度大于晶片的体杂质浓度且小于n+阴极层(3)的体杂质浓度的n型宽缓冲区(6)。n-漂移层(1)的电阻率ρ0相对于额定电压V0满足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。宽缓冲区(6)的净掺杂浓度总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一导电型的第一半导体层；设置在所述第一半导体层的一个主表面上且杂质浓度大于所述第一半导体层的第二导电型的第二半导体层；设置在所述第一半导体层的另一主表面上且杂质浓度大于所述第一半导体层的第一导电型的第三半导体层；以及设置在所述第一半导体层中且杂质浓度大于所述第一半导体层、并且杂质浓度分布的局部最大值小于所述第二半导体层和所述第三半导体层的杂质浓度的第一导电型的宽缓冲区，其中所述宽缓冲区的净掺杂浓度的总量大于或等于4.8×1011原子/cm2且小于或等于1.0×1012原子/cm2，并且其中所述第一半导体层的电阻率ρ0(Ωcm)相对于额定电压V0(V)满足0.12V0≤ρ0≤0.25V0。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080049553.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
