[发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201080049780.9 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102714225A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | D·F·鲍尔斯;A·D·贝因;P·M·达利;A·M·德格纳恩;M·T·邓巴;P·M·迈克古尼斯;B·P·斯坦森;W·A·拉尼 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L21/337;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有漏极(140)、栅极(160)和源极(130)的场效应晶体管，其中该漏极(140)和该源极(130)由第一类型半导体区形成。一方面，该场效应晶体管还包括另一掺杂区，例如位于栅极(160)和漏极(140)之间的另一N+区(410)。该另一掺杂区可视为场效应晶体管的中间漏极。在一些实现方式中，该另一掺杂区可以是重掺杂的。通过该另一掺杂区，可减小漏极(140)附近的场梯度。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件，其包含具漏极、栅极和源极的场效应晶体管，其中所述漏极和所述源极由第一类型的半导体区域形成，并且其中在所述栅极和所述漏极之间设置另一掺杂区域。
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