[发明专利]双极晶体管有效
| 申请号： | 201080049791.7 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102668087A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | W·A·拉尼;A·D·贝因;D·F·鲍尔斯;P·M·达利;A·M·德格纳恩;M·T·邓巴;P·M·迈克古尼斯;B·P·斯坦森 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双极晶体管，其包括发射极区(50)、基极区(40)和集电极区(20)以及与该基极区(40)间隔开并环绕该基极区(40)的保护区(200)。可以通过使用同掺杂掩模来形成该基极区(40)和该保护区(200)，在晶体管工作时，该保护区(200)可以用于扩展耗尽层。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种装置，包括双极晶体管，所述双极晶体管包括发射极区、基极区和集电极区，以及环绕所述基极区的保护区。
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