[发明专利]生产铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的电化学方法有效

专利信息
申请号: 201080049913.2 申请日: 2010-09-08
公开(公告)号: CN102741458A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 刘焕明;丁志峰;大卫·安东尼·洛夫;穆罕默德·哈拉迪;杨军 申请(专利权)人: 西安大略大学
主分类号: C25D3/38 分类号: C25D3/38;B32B15/00;B32B18/00;C25D3/02;H01L31/18
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;阴亮
地址: 加拿大*** 国省代码: 加拿大;CA
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明描述了生产光伏太阳能电池的方法,所述光伏太阳能电池具有化学计量p型铜铟镓硒(CuInxGa1-xSe2)(简写为CIGS)作为其吸收层和II-VI半导体层作为n型层,并电沉积所有这些层。所述方法包括采用离子液体方法的一系列新步骤和电沉积条件以克服本领域的技术挑战用于低成本和大面积生产CIGS太阳能电池,与现有技术相比所述方法具有下列创新优点:(a)以一锅法低成本并大面积电沉积CIGS而不需要沉积后的热烧结或硒化;(b)低成本并大面积电沉积n型II-VI半导体用于完成所述CIGS太阳能电池生产;以及(c)采用简单化学浴方法低成本并大面积沉积CdS或其它化合物的缓冲层。
搜索关键词: 生产 铜铟镓硒 cigs 太阳能电池 电化学 方法
【主权项】:
用于在导电衬底上形成CuInxGa1‑xSe2薄膜的方法,其步骤包括:(a)形成包含离子溶剂和铜、铟、镓和硒离子的离子液体组合物;(b)将所述导电衬底的表面浸入所述离子液体,将对电极浸入所述离子液体,将所述导电衬底与所述对电连接至电源;以及(c)以一锅法电化学沉积由具有化学计量CuInxGa1‑xSe2的铜、铟、镓和硒组成的膜,x数值范围约为0.6至0.8。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安大略大学,未经西安大略大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080049913.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top