[发明专利]双向开关无效
| 申请号： | 201080049924.0 | 申请日： | 2010-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102612753A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 森田竜夫 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L21/28;H01L21/338;H01L21/822;H01L21/8232;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/095;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/812;H01L29/ |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双向开关。双向开关包括半导体元件(101)和衬底电位稳定化部(103)。半导体元件(101)具有第一欧姆电极和第二欧姆电极以及第一栅电极和第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极从第一欧姆电极一侧依次形成在第一欧姆电极和第二欧姆电极之间。衬底电位稳定化部(103)使衬底的电位成为比第一欧姆电极的电位和第二欧姆电极的电位中校高的电位低的电位。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 开关 | ||
【主权项】：
一种双向开关，其特征在于：所述双向开关包括：半导体元件，其形成在衬底上，并具有半导体层叠层体、第一欧姆电极和第二欧姆电极、以及第一栅电极和第二栅电极，该第一欧姆电极和该第二欧姆电极彼此留有间隔地形成在所述半导体层叠层体上，该第一栅电极和该第二栅电极从所述第一欧姆电极一侧依次形成在所述第一欧姆电极和所述第二欧姆电极之间，以及衬底电位稳定化部，该衬底电位稳定化部使所述衬底的电位成为比所述第一欧姆电极的电位和所述第二欧姆电极的电位中较高的电位低的电位。
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