[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201080049990.8 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102668037A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 岛明生;朴泽一幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 激光退火中，从薄膜化为300μm以下的半导体Si衬底的背面起算的深度大于1μm的位置的温度在950℃以上、1412℃以下的温度范围内，将Si加热而不溶解。本发明提供一种半导体器件的制造方法，从半导体衬底的表面导入杂质形成半导体区域，利用静电夹持方式固定在支持衬底上将衬底整体加热到250℃以上，并且通过照射3μm以上的长波长的激光将半导体衬底的表面加热使杂质活化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下工序：从半导体衬底的表面导入杂质形成半导体区域的工序；利用静电夹持方式将所述半导体衬底固定在支持衬底上，将所述半导体衬底整体加热到250℃以上的工序；以1000微秒以下的照射时间照射波长3μm以上的激光，将所述半导体衬底的表面加热，使导入到所述半导体衬底内的所述杂质活化的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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