[发明专利]用于形成低温多晶硅膜的装置和方法

摘要

本发明公开了一种形成设备和形成方法，其能生产不经历晶粒尺寸波动并且具有均匀的晶粒尺寸的低温多晶硅膜。形成掩模，使得激光束阻断区域和激光束透射区域以网状图案排列，以便彼此不相邻。通过掩模，利用微透镜，使用激光束照射预定的通道区形成区域。使用透过透射区域的激光束照射a-Si:H膜，以引起经照射的部分退火，从而引起多晶化。随后，将掩模移除，并且使用激光束照射预定的通道区形成区域的整个表面。在其中已发生多晶化的区域，熔点升高，并且不发生熔融。在仍为非晶态的区域中，熔融并固化，从而引起多晶化。在这样生产的多晶硅膜中，晶粒的尺寸根据阻光区和透光区控制并落入具体范围内。

主权项

一种用于形成低温多晶硅膜的装置，所述装置包括：一维或二维排列的多个微透镜；激光产生源；光导部分，用于将激光从激光产生源引导至所述微透镜，以通过所述微透镜将所述激光在非晶态硅膜上聚光；和为每一个微透镜排列的多个掩模，其中用于透射所述激光的多个透射区和用于阻断所述激光的多个阻光区在所述掩模上为二维排列，并且在一个方向交替布置，使得透射区彼此不相邻且阻光区彼此不相邻。