[发明专利]MOFET的掩模层级减少

摘要

一种利用减少的掩模操作制作用于有源矩阵显示器的薄膜晶体管的方法，包括在衬底上构图栅极。在该栅极上方形成栅极电介质，并且在该栅极电介质上沉积半导体金属氧化物。在叠盖栅极的半导体金属氧化物上构图沟道保护层，以限定沟道区并暴露剩余的半导体金属氧化物。在该结构上沉积源极/漏极金属层，并蚀刻穿过到达栅极上方的沟道保护层，以将源极/漏极金属层分开为源极端子和漏极端子，并且在外围蚀刻贯穿源极/漏极金属层和半导体金属氧化物以隔绝该晶体管。在该晶体管和周边的源极/漏极金属层的部分上，构图非导电间隔物。

主权项

一种以减少的掩模操作制作用于有源矩阵显示器的薄膜晶体管的方法，所述方法包括步骤：提供具有表面的衬底；在所述衬底的表面上构图栅极金属，以限定薄膜晶体管栅极；在所述栅极和周边的衬底表面上方形成栅极电介质的层；在所述栅极电介质的层上沉积半导体金属氧化物的层；在叠盖所述栅极的所述半导体金属氧化物上构图沟道保护层，所述沟道保护层被构图以在所述栅极上方的所述半导体金属氧化物中限定沟道区，并暴露剩余的半导体金属氧化物；在所述沟道保护层和暴露的半导体金属氧化物上，沉积至少源极/漏极金属层；在单一的蚀刻步骤中，蚀刻穿过在所述栅极上方的所述源极/漏极金属层直到所述沟道保护层，以将所述源极/漏极金属层分开为薄膜晶体管源极端子和漏极端子，并蚀刻穿过在外围的所述源极/漏极金属层和所述半导体金属氧化物，以隔绝所述薄膜晶体管；和在隔绝的薄膜晶体管和围绕源极/漏极金属层的部分上沉积构图的非导电间隔物层。