[发明专利]Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质有效

专利信息
申请号: 201080050662.X 申请日: 2010-10-21
公开(公告)号: CN102597303A 公开(公告)日: 2012-07-18
发明(设计)人: 奈良淳史 申请(专利权)人: 吉坤日矿日石金属株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C04B35/00;G11B7/243;G11B7/26
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及一种Bi-Ge-O型烧结体溅射靶以及该靶的制造方法以及光记录介质,所述烧结体溅射靶含有铋(Bi)、锗(Ge)和氧(O),其特征在于,Bi与Ge的原子数比为0.57<(Bi/(Bi+Ge))<0.75,并且由作为结晶相的Bi12GeO20和Bi4Ge3O12两相构成;特别地提供Bi-Ge-O型烧结体溅射靶以及该靶的制造方法以及光记录介质,所述烧结体溅射靶耐热冲击性优良,可以高功率溅射因此可以预计生产效率大幅改善,并且在溅射时不产生靶的破裂、粉粒的产生少、可以稳定地制作高品质的薄膜,可以得到不产生记录位错误的光记录介质。
搜索关键词: bi ge 烧结 溅射 及其 制造 方法 以及 记录 介质
【主权项】:
一种Bi‑Ge‑O型烧结体溅射靶,含有铋(Bi)、锗(Ge)和氧(O),其特征在于,Bi与Ge的原子数比为0.57<(Bi/(Bi+Ge))<0.75,并且由作为结晶相的Bi12GeO20和Bi4Ge3O12两相构成。
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