[发明专利]叠层体的制造方法

摘要

本发明提供新的在蓝宝石基板上生长III族极性的生长方法。这种制造方法是利用MOCVD法，制作在蓝宝石基板上叠层III族氮化物单晶层的叠层体的制造方法，包含对蓝宝石基板提供氧源气体的前期处理工序、与该III族氮化物生长用的原料气体一起，将氧源气体向蓝宝石基板上提供，以使含氧浓度为年5×1020cm-3以上5×1021cm－3以下的初期单晶层以3nm以上15nm以下的厚度形成的第一生长工序、以及对该初期单晶层上提供该原料气体而不提供氧源气体，或在提供该原料气体的同时，提供比第1生长工序少的氧源气体，以使比初期单晶层氧浓度低的III族氮化物单晶层生长的第二生长工序。

主权项

一种叠层体的制造方法，是利用有机金属气相生长法，制造在蓝宝石基板上叠层满足AlＸGaＹInＺN表示的组成的III族氮化物构成的单晶层的叠层体的制造方法，其中，Ｘ、Ｙ、以及Ｚ分别为满足0.9≤Ｘ≤1.0、0.0≤Ｙ≤0.1、0.0≤Ｚ≤0.1的有理数，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝1.0，其特征在于，包含下述工序，即向蓝宝石基板上提供氧源气体的前期处理工序、与使该III族氮化物单晶生长用的原料气体、即III族原料气体、以及氮源气体一起，将氧源气体向进行前期处理工序后的蓝宝石基板上提供，以此使含氧浓度为5×1020cm－3以上，5×1021cm－3以下的，满足所述组成的III族氮化物构成的初期单晶层在该蓝宝石基板上生长3nm以上15nm以下的厚度的第一生长工序、以及向该初期单晶层上提供该原料气体而不提供氧源气体，或提供该原料气体，同时提供比第一生长工序少的供给量的氧源气体，使比初期单晶层氧浓度低的，满足所述组成的III族氮化物构成的第二III族氮化物单晶层生长的第二生长工序。