[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法以及带有粘接剂层的半导体晶片无效
| 申请号： | 201080050769.4 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102687257A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 满仓一行;川守崇司;增子崇;加藤木茂树;藤井真二郎 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;C09J4/02;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，其包括：使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面上成膜而形成粘接剂层的工序；通过光照射对粘接剂层进行B阶化的工序；将半导体晶片与经B阶化的所述粘接剂层一起切断而切成多个半导体芯片的工序；以及对于半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片，在它们之间夹着粘接剂层的状态下进行压接，从而进行粘接的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 带有 粘接剂层 晶片 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：使粘接剂组合物在半导体晶片的与电路面相反侧的面上成膜而形成粘接剂层的工序；通过光照射对所述粘接剂层进行B阶化的工序；将所述半导体晶片与经B阶化的所述粘接剂层一起切断而切成多个半导体芯片的工序；以及对于所述半导体芯片和支撑构件或其它半导体芯片，在它们之间夹着所述粘接剂层的状态下进行压接，从而进行粘接的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
