[发明专利]β型塞隆、其制造方法及使用其的发光装置有效
| 申请号： | 201080050996.7 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102639672A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 江本秀幸;伊藤和弘 | 申请（专利权）人： | 电气化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/64 | 分类号： | C09K11/64;C09K11/08;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在Si6-zAlzOzN8-z所示的β型塞隆中固溶有Eu2+的β型塞隆，组成z为0.3以上且1.5以下，在用波长450nm的光激发时荧光光谱的峰值波长为545nm以上且560nm以下、半值宽度为55nm以上、外部量子效率为45%以上。该β型塞隆可以通过以使z值为0.3以上且1.5以下的方式配混选自氧化铝和氧化硅中的1种以上氧化物、氮化硅和氮化铝，进一步加入一定量的铕化合物和平均粒径为5μm以上、平均圆度为0.7以上的β型塞隆粉末，进行烧结，从而制造。 | ||
| 搜索关键词： | 型塞隆 制造 方法 使用 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种β型塞隆，该β型塞隆在Si6‑zAlzOzN8‑z所示的β型塞隆基质晶体中固溶有Eu2+作为发光中心，其中z为0.3≤z≤1.5，在用波长450nm的光激发时荧光光谱的峰值波长为545~560nm、半值宽度为55nm以上、外部量子效率为45%以上。
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