[发明专利]单晶相变材料有效
| 申请号： | 201080051124.2 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102639257A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 林钟汉;A.G.施罗特;陈介方 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B05D5/00 | 分类号： | B05D5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造相变存储器（PCM）单元的方法，包括：在电极之上形成电介质层，电极包括电极材料；在电介质层中形成通孔，使通孔向下延伸到该电极；以及在通孔中的电极上生长相变材料的单晶。一种相变存储器（PCM）单元，包括：包含电极材料的电极；电极之上的电介质层；电介质层中的通孔；以及位于通孔中的相变材料的单晶，该单晶与通孔底部的电极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 材料 | ||
【主权项】：
一种制造相变存储器（PCM）单元的方法，该方法包括：在电极之上形成电介质层，该电极包含电极材料；在该电介质层中形成通孔，使该通孔向下延伸到该电极；以及在该通孔中的该电极上生长相变材料的单晶。
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