[发明专利]可控制地植入工件的装置与方法无效
| 申请号： | 201080051532.8 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102971825A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·雷诺;卢多维克·葛特;提摩太·J·米勒;约瑟·C·欧尔森;维克拉姆·辛;詹姆士·布诺德诺;迪帕克·瑞曼帕;拉塞尔·J·罗;阿塔尔·古普塔;凯文·M·丹尼尔斯 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/32;H01L21/265;H01L21/266;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 植入 工件 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种处理装置，包括：等离子体源，经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，所述等离子体含有用于植入至工件中的离子；具有孔隙的聚焦板，所述聚焦板经组态以修改接近所述聚焦板的等离子体外鞘的形状，以使得所述离子离开所述孔隙以界定聚焦离子；以及与所述聚焦板隔开的含有所述工件的处理腔室，其中所述聚焦离子具有实质上比所述孔隙窄的植入宽度，且所述处理腔室经组态以藉由在植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
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