[发明专利]设备、薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201080052072.0 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102714278A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 新海征治;原口修一;白木智丈;小川雅司;中谷修平;坂上惠;后藤修;柿本秀信 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/42;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供利用涂布法在所需的区域形成有功能性薄膜且特性和其寿命良好的设备、薄膜晶体管及其制造方法。课题的解决装置为一种设备，其特征在于，具有基板、形成在上述基板上的第一电极、形成在上述第一电极的上方的功能性薄膜、和设置在上述功能性薄膜的上方的第二电极，且在上述功能性薄膜的形成区域的周围还具有膜，所述膜含有含氟的基团与π共轭系通过环烯结构或环烷结构结合而得的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种设备，其特征在于，具有基板、形成于所述基板上的第一电极、形成于所述第一电极的上方的功能性薄膜、和设置在所述功能性薄膜的上方的第二电极，并且在所述功能性薄膜的形成区域的周围还具有膜，所述膜含有含氟的基团与π共轭系通过环烯结构或环烷结构结合而得的化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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