[发明专利]用于产生硅层的方法有效
| 申请号： | 201080052321.6 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102597318A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | S.韦伯;M.帕茨;R.卡里厄斯;T.布龙格;M.克勒 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/14 | 分类号： | C23C18/14;C23C18/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在衬底上热生产硅层的液相方法，其中将至少一种高级硅烷施加到衬底上，然后热转化成基本上由硅构成的层，该高级硅烷能由通式SiaH2a+2(这里a=3-10)的至少一种氢化硅烷来制备，其中该高级硅烷的热转化在500-900℃的温度和≤5分钟的转化时间的情况下进行，本发明还涉及能根据所述的方法生产的硅层以及它们的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 方法 | ||
【主权项】：
用于在衬底上热产生硅层的液相方法，其中将至少一种高级硅烷施涂到衬底上，然后将其热转化成基本上由硅构成的层，所述高级硅烷能由至少一种通式SiaH2a+2(这里a=3‑10)的氢化硅烷来制备，其特征在于，所述高级硅烷的热转化‑ 在500‑900℃的温度‑ 和≤5分钟的转化时间条件下进行。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
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