[发明专利]压电设备以及压电设备的制造方法有效
申请号: | 201080052988.6 | 申请日: | 2010-11-22 |
公开(公告)号: | CN102668376B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 伊藤是清 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03H9/145 | 分类号: | H03H9/145;H03H3/02;H03H3/08;H03H9/17 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种即使在压电薄膜与支撑体之间设置用于接合的中间层,谐振特性也不会劣化的压电设备及压电设备的制造方法。在注入氢离子在压电单晶基板(1)内形成离子注入部分之后,在压电单晶基板(1)的背面(12)形成金属制的中间层(32)。然后,经由该中间层(32)对压电单晶基板(1)与支撑体(30)进行接合。将形成了离子注入部分的复合压电体(2)、或者对压电单晶基板(1)进行了加热分离的复合压电基板(3)以450℃至700℃进行加热,使中间层的金属氧化来使导电性降低。这样,通过形成金属的中间层,从而能够使压电基板与支撑体可靠地贴紧,而且由于使中间层的金属氧化,因此能够使中间层的导电性降低,能够提供一种谐振特性良好的压电设备。 | ||
搜索关键词: | 压电 设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种压电设备,具备:形成了电极的压电薄膜、和对该压电薄膜进行支撑的支撑体,在上述压电薄膜与上述支撑体之间,具备含有被氧化过的金属的中间层,上述压电薄膜由压电单晶基板构成,上述压电薄膜的导电率为1.0×10‑13Ω‑1·m‑1至1.0×10‑11Ω‑1·m‑1。
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