[发明专利]从衬底去除本体材料层的方法以及适于该方法的化学机械抛光剂

摘要

一种通过CMP从衬底去除本体材料层并使暴露表面平面化的方法，包括：(1)提供CMP试剂，其在未添加辅助材料的情况下在化学机械抛光结束时呈现：-与其开始时相同的SER和比其开始时更低的MRR，-比初始SER更低的SER以及与初始MRR相同或基本相同的MRR，或-比其开始时更低的SER和更低的MRR；(2)使所述本体材料层的表面与所述CMP试剂接触；(3)用所述CMP试剂对所述本体材料层进行CMP；(4)继续CMP直至从暴露表面去除所有材料残留物；以及一种CMP试剂及其在电和光学器件制造中的用途。

主权项

一种通过化学机械抛光从衬底表面去除本体材料层并使暴露表面平面化的方法，所述方法包括如下步骤：(1)提供含水化学机械抛光剂(A)，其在未添加辅助材料的情况下在化学机械抛光结束时呈现：‑与其开始时相同或基本相同的静态蚀刻速率SER和比其开始时更低的材料去除速率MRR，‑比其开始时更低的静态蚀刻速率SER以及与其开始时相同或基本相同的材料去除速率MRR，或‑比其开始时更低的静态蚀刻速率SER和更低的材料去除速率MRR；(2)使所述本体材料层的表面与所述含水化学机械抛光剂(A)接触；(3)使用所述含水化学机械抛光剂(A)化学机械抛光所述本体材料层，同时‑其初始SER保持相同或基本相同且其初始MRR降低，‑其初始SER降低且其初始MRR保持相同或基本相同，或‑其初始SER及其初始MRR均降低，直至去除本体金属层且暴露出衬底表面；和(4)继续使用所述化学机械抛光剂(A)进行化学机械抛光，在所述方法的该阶段所述化学机械抛光剂(A)具有：‑与初始SER相同或基本相同的SER和低于初始MRR的MRR，‑低于初始SER的SER以及与初始MRR相同或基本相同的MRR，‑低于初始SER和初始MRR的SER和MRR，直至所有材料残余物均从所述暴露表面去除。