[发明专利]用于硫属化物光伏应用的低熔点溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201080053733.1 | 申请日： | 2010-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102630254A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·巴塞洛缪兹;布赖恩·约瑟夫·巴塞洛缪兹;马里安娜·穆特安祐;伊洛·戈特 | 申请（专利权）人： | AQT太阳能公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;B22F3/115 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 李剑 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本发明一个示例性的实施方式中，描述了一种用于沉积半导体性硫属元素化物膜的溅射靶结构。所述溅射靶包括：靶体，其具有包含Cu1-x(Se1-y-zSyTez)x的靶体组合物，其中：x值大于或等于约0.5；y值在约0到约1之间；z值在约0到约1之间；并且所述靶体组合物中Se、S和Te相的总量小于所述靶体组合物的50体积％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硫属化物光伏 应用 熔点 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于沉积半导体性硫属元素化物膜的溅射靶结构体，其包括：靶体，其具有包含Cu1‑x(Se1‑y‑zSyTez)x的靶体组合物，其中：x的值大于或等于约0.5；y的值在约0到约1之间，并包括0和1；z的值在约0到约1之间，并包括0和1；并且所述靶体组合物中Se、S和Te相的总量小于所述靶体组合物的50体积％。
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