[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201080053857.X | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102630344A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 松田高一 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/786;H01L21/77;C23C16/24;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨小明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了解决在等离子体CVD法的膜生成的初始阶段中，难以形成结晶度优异的硅层的问题，提供一种半导体器件，包括：基板；结晶硅层；包含氧化钛作为主要成分的氧化钛层；和与所述结晶硅层电连接的一对电极，其中：所述氧化钛层和所述结晶硅层是从基板侧起按照所描述的顺序在基板上形成的；所述氧化钛层和所述结晶硅层被形成为相互接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；结晶硅层；包含氧化钛作为主要成分的氧化钛层；和与所述结晶硅层电连接的一对电极；其中：所述氧化钛层和所述结晶硅层是从基板侧起在基板上按照所描述的顺序形成的；所述氧化钛层和所述结晶硅层相互接触。
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