[发明专利]用于处理倒角边缘的方法和装置有效
| 申请号： | 201080053879.6 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102640267A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 杰克·陈;金润祥 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于处理倒角边缘的方法和装置。将衬底放置在倒角处理腔室中，利用约束在倒角处理腔室的周边区域中的钝化等离子体，在所述衬底上仅在所述衬底的倒角区域周围形成钝化层。衬底可经受后续半导体工艺制程，在所述后续半导体工艺制程期间所述衬底的倒角边缘区域受所述钝化层保护。可选地，可利用形成在处理腔室的外周边区域中的图案化等离子体使钝化层图案化，通过增强等离子体约束来约束图案化等离子体。去除倒角区域的外边缘部上的钝化层，而仍保持倒角区域的内部上的钝化层。可利用图案化的钝化层作为保护掩膜来清洁衬底的倒角边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 倒角 边缘 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种处理衬底的方法，包括：将衬底放置在倒角处理腔室中；提供约束在所述倒角处理腔室的周边区域中的钝化等离子体；利用所述钝化等离子体仅在所述衬底的倒角区域周围在所述衬底上形成钝化层；以及停止所述钝化等离子体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
