[发明专利]双极性晶体管中的增益恢复

摘要

一种恢复双极性晶体管中的增益的方法，包括：提供双极性晶体管，所述双极性晶体管包括发射极、集电极和在所述发射极和所述集电极处的结之间布置的基极；对于操作时间段用操作电压来反向偏压所述发射极和基极之间布置的结，使得所述晶体管的电流增益β劣化；使所述晶体管空闲；以及对于修复时间段（TR），在用第一修复电压（VBER）正向偏压所述发射极和所述基极之间布置的结时，且在至少部分地同时用第二修复电压（VCBR）反向偏压所述集电极和所述基极之间布置的结时，向所述基极中生成修复电流Ibr，使得至少部分地恢复所述增益。

主权项

一种恢复双极性晶体管中的增益的方法，包括：提供双极性晶体管，所述双极性晶体管包括发射极、集电极和在所述发射极和所述集电极处的结之间布置的基极；对于操作时间段用操作电压来反向偏压所述发射极和基极之间布置的结，使得所述晶体管的电流增益β劣化；使所述晶体管空闲；以及对于修复时间段（TR），在用第一修复电压（VBER）正向偏压所述发射极和所述基极之间布置的结时，且在至少部分地同时用第二修复电压（VCBR）反向偏压所述集电极和所述基极之间布置的结时，向所述基极中生成修复电流Ibr，使得至少部分地恢复所述增益；其中，VBER、VCBR和TR具有比例关系：TR∝(Δβ)2×exp[1/(Tam+Rth×Ie×VCER)],VCER=VBER+VCBR，且Ie=β×Ibr，β是所述晶体管的正常电流增益，Δβ是以百分比为单位的晶体管的目标恢复增益，Tam是以度K为单位的周围温度，Ibr是以μ安培为单位的到所述基极的修复电流，Rth是以K/W为单位的所述晶体管的自加热热电阻，TR是以秒为单位的。