[发明专利]氮化铝单晶制造方法无效
| 申请号： | 201080054275.3 | 申请日： | 2010-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102639764A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 福山博之;东正信;高田和哉;服部刚 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;株式会社德山 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/02 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 刘粉宝 |
| 地址： | 日本国宫城县仙*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够更有效、简便地制造结晶性良好的氮化铝单晶的方法。本发明的氮化铝单晶的制造方法，在发生铝气体或氧化铝气体的原料气体发生源与碳成型体存在的条件下使氮气流通，在加热环境中使氮化铝单晶生长，其特征在于，碳成型体的至少一部分不与原料气体发生源直接接触，原料气体的至少一部分不与碳成型体直接接触；在不与该碳成型体接触的原料气体发生源和不与原料气体发生源接触的碳成型体之间存在有0.01～50mm的间隔的空间，以这样的配置对原料气体发生源和碳成型体进行配置；在不与该碳成型体接触的原料气体发生源和不与原料气体发生源接触的碳成型体之间的空间内，设定加热温度和氮气流量以满足析出氮化铝的条件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 铝单晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铝单晶的制造方法，在发生铝气体或氧化铝气体的原料气体发生源与碳成型体存在的条件下使氮气流通，在加热环境中使氮化铝单晶生长，其特征在于，碳成型体的至少一部分不与原料气体发生源直接接触，原料气体发生源的至少一部分不与碳成型体直接接触，在不与该碳成型体接触的原料气体发生源和不与原料气体发生源接触的碳成型体之间存在具有0.01～50mm间隔的空间，以这样的配置对原料气体发生源和碳成型体进行配置，在不与该碳成型体接触的原料气体发生源和不与原料气体发生源接触的碳成型体之间的空间，设定加热温度、氮气流量以满足氮化铝析出条件。
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