[发明专利]用于在相同芯片上形成具有多个掺杂的鳍片场效晶体管的方法及结构有效
| 申请号： | 201080054317.3 | 申请日： | 2010-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102640273A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | Y·张;程慷果;B·多里斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造集成电路的特征的方法包括：在半导体器件的表面上构图第一半导体结构，以及在所述第一半导体结构的相对侧上外延生长半导体材料以形成鳍片。将第一倾斜离子注入施加于所述第一半导体结构的一侧以掺杂所述一侧上的各鳍片。选择性地去除所述第一半导体结构以暴露所述鳍片。使用所述鳍片形成鳍片场效晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相同 芯片 形成 具有 掺杂 鳍片场效 晶体管 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种用于制造集成电路的特征的方法，其包括：在半导体衬底的表面上构图第一半导体结构；在所述第一半导体结构的相对侧上外延生长半导体材料以形成鳍片；将第一倾斜离子注入施加于所述第一半导体结构的一侧以掺杂所述一侧上的各鳍片；选择性地去除所述第一半导体结构以暴露所述鳍片；以及使用所述鳍片形成鳍片场效晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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